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IBM은 세계 최초의 2nm 공정 노드 칩을 제조하고 뉴욕 주 알바니에있는 자사 공장에서 2nm 공정으로 생산 된 완전한 300mm 웨이퍼를 시연했다고 발표했지만, 이것이 2nm 공정이 대량 생산을 달성했다는 의미는 아닙니다. 어쨌든 이것은 또한 반도체 설계 및 제조의 돌파구이며 성능 및 에너지 효율성의 질적 도약입니다. IBM은 2nm 칩의 잠재적 인 이점에는 휴대폰의 배터리 수명 향상, 데이터 센터의 탄소 배출 감소, 노트북 컴퓨터의 기능이 점점 더 빨라지고 자율 주행 자동차 칩의 성능 향상에 도움이된다는 것이 있다고 생각합니다.

Anandtech 보고서 에 따르면 IBM은 "손톱 크기의 칩에 500 억 개의 트랜지스터"가 될 수있는 기술을 도입했습니다. 2nm (MTr / mm 2 ) 의 칩 트랜지스터 밀도 는 333.33으로 5nm TSMC 프로세스의 거의 두 배 였지만 또한 높은 업계 추정치입니다. TSMC의 3nm 공정 (292.21 MTr / mm 2 ). 현재 7nm 공정과 비교하여 동일한 전력 소비에서 성능이 45 % 더 높거나 동일한 성능에서 전력 소비가 75 % 감소합니다. 동시에 IBM의 2nm 공정도 GAA (All-around Gate Transistor) 공정을 사용하고 있으며 삼성은 향후 3nm 공정에서도이 기술을 사용할 예정입니다.

IBM은 2014 년에 팹을 GlobalFoundries에 매각했지만 더 이상 자체 팹이 없지만 여전히 반도체 혁신 분야에서 선두 위치에 있습니다. 반도체 분야에서 IBM의 혁신에는 7nm 및 5nm 공정 기술, 구리 인터커넥트 배선, 고유 전율 게이트 유전체, 멀티 코어 마이크로 프로세서, 임베디드 DRAM, 3D 칩 스태킹 및 Dennard의 스케일링 법칙의 첫 번째 실현도 포함됩니다. 인텔은 이전에 IDM 2.0 전략에서 향후 로직 및 패키징 기술 분야에서 IBM과 협력 할 것이라고 발표했습니다.

IBM은 올해 처음으로 상용 7nm 공정 프로세서 인 IBM Power 10을 자사의 Power Systems 서버에 사용할 계획이며, 이는 삼성이 제조 할 삼성과 공동으로 개발 한 공정을 사용하여 PCIe Gen5 및 DDR5 메모리를 지원합니다.

 


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