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1980년에 도시바 메모리에서 플래시 메모리를 개발했던 마츠오카 후지오의 스타트업인 Unisantis에서 DRAM보다 4배 높은 밀도와 고성능을 달성한 휘발성 메모리인 DFM(다이나믹 플래시 메모리)를 개발했습니다. 

 

DRAM 메모리는 데이터 비트 당 1개의 캐피시터와 1개의 트랜지스터로 구성된 전하 저장 셀 어레이에 데이터를 저장합니다. 이 셀에 1이 기록되면 캐패시터가 트랜지스터를 충전하고 0이면 방전합니다. 

 

다이나믹 플래시 메모리는 서라운드 게이트 트랜지스터를 사용해 캐패시터를 대체하고 DRAM의 6F2보다 더 작은 6F2 구조의 셀을 사용해 비트 밀도를 최대 4배로 높입니다. 

 

이 회사에서 메모리를 직접 만드는 건 아니고 IP를 라이센스하는데, 어떤 회사가 이 기술을 쓸지는 두고 봐야겠네요. 이 기술은 기존의 CMOS 재료를 사용하고 제조 방법이 어렵지 않아 상용화 가능성이 높습니다. 

 

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