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삼성은 2013 년에 V-NAND라는 최초의 양산 3D NAND 메모리를 출시했으며, 따라서 경쟁사보다 앞서 있습니다. 삼성 전자는 24 V- 낸드 플래시 메모리로 시작하여 점차 풍부한 경험을 쌓았으며 조만간 176 V- 낸드 플래시 메모리 를 탑재 한 저장 장치를 출시 할 예정이다. 삼성은 앞으로 V-NAND의 레이어 수가 1,000 개를 초과 할 것이라고 밝혔다.

 

TomsHardware 는 삼성 이 176 개의 레이어를 가진 7 세대 V-NAND 기술 소비자 SSD 를 사용하여 생산을 시작할 계획이라고 보고 했습니다 . 삼성은 이것이 업계에서 가장 작은 NAND 스토리지 유닛이라고 말했다. 이 새로운 플래시 메모리는 2000MT / s의 데이터 전송 속도를 가지므로 삼성은 PCI-E 4.0 PCI-E 5.0 인터페이스를 사용하여 초고속 솔리드 스테이트 드라이브를 구축 할 수 있습니다. 이러한 저장 장치는 멀티 태스킹 및 과중한 워크로드에 최적화 될 새로운 메인 제어 칩을 사용합니다. 다음 단계에서 삼성은 176 V-NAND 플래시 메모리를 기반으로 한 데이터 센터 수준의 솔리드 스테이트 드라이브를 출시 할 것이며, 이는 더 강력한 성능과 용량을 가질 것입니다.

 

 

 

176 V-NAND 플래시 메모리는 양산에 가까워졌지만 삼성은 8 세대 V-NAND 기술을 사용하여 칩 샘플을 생산하기 시작했으며 차세대 제품은 200 단을 가질 예정이다. 삼성은 시장 수요에 따라 양산 개시시기를 결정하고 일반적으로 12 ~ 18 개월 내에 업데이트 될 예정이라고 밝혔다.이 일정표를 참조하면 200 V가 탑재 된 저장 장치가 언제쯤인지 대략적으로 판단 할 수있다. -NAND 플래시 메모리가 나옵니다.

 

삼성 및 기타 NAND 플래시 메모리 제조업체는 새로운 재료를 사용해야하는 더 작은 NAND 메모리 셀을 포함하거나 더 많은 층을 에칭하기가 더 어려워지는 등 레이어 수를 추구하는 데 몇 가지 문제에 직면하고 있습니다. 에칭 된 층의 수가 증가함에 따라 실현 불가능 해 지거나 경제적 이익이 감소 할 수 있으므로 제조업체는 스태킹과 같은 기술을 사용할 것입니다.

 

SK 하이닉스는 올해 초 600 개 이상의 레이어로 구성된 3D 낸드 플래시 메모리 연구 개발을 계획대로 진행하겠다고 밝힌 바있어 삼성 만이 계획을 세운 회사는 아니다.


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